Джон Басс отметил развитие демократии в Грузии

"Грузия идет вперед и развивается демократия, так будет и в будущем. Это, естественно, отражается на институтах, на парламенте Грузии, на общественном мнении...", - заявил посол США.

ТБИЛИСИ, 26 авг – Новости- Грузия, Наталия Смольникова. Грузия идет вперед и это отражается на парламенте и общественном мнении в стране, заявил посол США в Грузии Джон Басс в ходе ток-шоу "Диалог" на батумском телевидении "25-й канал" в четверг.

Басс посетил "25-й канал" в рамках двухдневного визита с Западную Грузию. По данным посольства, посол вместе с супругой Холли Хольцер побывает в портовом городе Поти, Зугдиди и новом курортном городе Анаклия в регионе Самегрело и посетит потийский телеканал "Мецхре талга" ("Девятая волна") и зугдидскую радиостанцию "Атинати".

"Грузия идет вперед и развивается демократия, так будет и в будущем. Это, естественно, отражается на институтах, на парламенте Грузии, на общественном мнении. Если 30 процентов населения имеет в Грузии определенное мнение, это совершенно не означает что, это мнение должно быть единственным, которое будет выражено в парламенте Грузии. Представительские институты в той или иной мере должны отражать все мнения в обществе", - заявил посол США.

Помимо этого, Басс также коснулся событий 25-26 мая, когда на проспекте Руставели в Тбилиси произошел разгон акции протеста "Народного собрания", и отметил, что государство должно защищать общественный порядок, но при этом у людей должно быть право выражать свое мнени.

"Очевидно, что были допущены ошибки. Была применена чрезмерная сила как во время разгона участников акции протеста, так и после, и очень важно, чтобы эти факты были расследованы", - заявил американский дипломат.

Кроме того, Басс отметил значимость свободных СМИ, которые обеспечат полноценное информирование общества.

По его словам, общество должно самостоятельно сделать выбор, а США всегда поддержат создание справедливой избирательной среды.

Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
В ЭФИРЕ
Заголовок открываемого материала